MOS管内阻+二极管正向电压测试仪使用说明

 
MOS管内阻二极管正向电压测试仪
使用说明书
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
常州创新电子设备有限公司
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MOS管内阻二极管正向VF测试仪使用说明
本仪表用于测量MOS管内阻和半导体二极管正向压降VF
1. 技术参数：
正向电流选择范围IF  0.1A~12.0A       ±1％
(我公司还有其它型号从1-1000A的正向压降测试仪，价格和型号不一样，可以根据用户需要定做)
MOS内阻范围最大4000毫欧。
正向压降VF 0.000V~4.000V   ±1％ ±2个字
电流电压     220V  ±10％   10VA
2. 使用方法：
  一，测量MOS管内阻
     1 安钮设定IF值
     
对于内阻较大的MOS管，建议设置电流1.0A,因为MOS是一个线性电阻，内阻基本和电流无关。

将RDS和VF选择开关打到RDS(内阻)，另外一个测量目标打到上面插座位置，此刻在下面的插座上插上待测的MOS管，如图所示，按动测试按钮一次，MOS管的内阻就会显示出来。如果被测的较大或者设置电流过大可能会显示满度。
二，二极管正向压降测量。
首先确认被测二极管的封装形式，轴向型二极管，可以用配套的测试台，如果是TO220之类的二极管，可以用MOS的插座（D为二极管+，S为二极管-），然后相应选择测量目标是插座还是接线柱。
RDS和VF选择开关打到VF位置，根据要测试的二极管电流设定好电流IF值，按面板测试按钮，LED数字显示VF值。
您在使用中如果有技术问题，可以致电13813561387（马工），也可添加此号码微信，本公司也可根据用户需要定制各种测量方案.